MT41K512M8RH-125:E
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Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125:E
| Artikelnummer: | MT41K512M8RH-125:E |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Micron Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
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Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125:E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MT41K512M8RH-125:E.Produkteigenschaften Eigenschaften Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - Spannungsversorgung 1.283V ~ 1.45V Technologie SDRAM - DDR3L Supplier Device-Gehäuse 78-FBGA (9x10.5) Serie - Verpackung / Gehäuse 78-TFBGA Paket Tray Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Speichertyp Volatile Speichergröße 4Gbit Speicherorganisation 512M x 8 Speicherschnittstelle Parallel Speicherformat DRAM Uhrfrequenz 800 MHz Grundproduktnummer MT41K512M8 Zugriffszeit 13.75 ns MT41K512M8RH-125:E Einzelheiten PDF [English] MT41K512M8RH-125:E PDF - EN.pdf -
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